參數(shù)資料
型號(hào)： ZTX604L
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Obsolete
中文描述： 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 75K
代理商： ZTX604L
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER
DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 1 MARCH 94
FEATURES
*
120 Volt V
CEO
*
1 Amp continuous current
*
Gain of 2K at I
C
=1 Amp
*
P
tot
= 1 Watt
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
ZTX604
ZTX605
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
120
140
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
100
120
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
10
V
Peak Pulse Current
I
CM
4
A
Continuous Collector Current
I
C
1
A
Power Dissipation
derate above 25°C
at T
amb
=25°C
P
tot
1
5.7
W
mW/ °C
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
ZTX604
ZTX605
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
120
140
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
100
120
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
10
10
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
0.01
10
0.01
10
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
V
CB
=100V
V
CB
=120V
V
CB
=100V,
T
amb
=100°C
V
CB
=120V,
T
amb
=100°C
Emitter Cut-Off
Current
I
EBO
0.1
0.1
μ
A
V
EB
=8V
Colllector-Emitter
Cut-Off Current
I
CES
10
10
μ
A
V
CES
=100V
V
CES
=120V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
1.0
1.5
1.0
1.5
V
V
I
C
=250mA, I
=0.25mA*
I
C
=1A, I
B
=1mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1.8
1.8
V
I
C
=1A, I
B
=1mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
1.7
1.7
V
IC=1A, V
CE
=5V*
ZTX604
ZTX605
3-212
C
E-Line
TO92 Compatible
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZTX604 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER(DARLINGTON TRANSISTORS)
ZTX604K Obsolete
ZTX614 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR
ZTX618 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ZTX649 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZTX604STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX604STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX604STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX605 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
ZTX605 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON E-LINE
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