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參數(shù)資料
| 型號： | ZTX614 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 800 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92 COMPATIBLE, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | ZTX614 |
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER
DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 1 APRIL 94
FEATURES
*
100 Volt V
CEO
*
800 mA continuous current
*
Gain of 10K at I
C
=500mA
*
P
tot
=1 Watt
REFER TO BCX38 FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
120
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
100
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
10
V
Continuous Collector Current
I
C
800
mA
Power Dissipation at T
=25°C
derate above 25°C
P
tot
1.0
5.7
W
mW/ °C
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
120
V
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
CEO(sus)
100
V
I
C
=10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
10
V
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
nA
V
CB
=60V, I
E
=0
Emitter Cut-Off Current I
EBO
100
nA
V
EB
=8V, I
C
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
1.25
V
I
C
=800mA, I
B
=8mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
1.8
V
IC=800mA, V
CE
=5V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
5000
10000
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
C
=500mA, V
CE
=5V*
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
E-line
TO92 Compatible
ZTX614
3-215
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZTX618 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
| ZTX649 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| ZTX651 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| ZTX650 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| ZTX652 | NPN SILICON PLANAR(MEDIUM POWER TRANSISTORS) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZTX614 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON E-LINE |
| ZTX614_Q | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 Low Sat Transistor RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| ZTX614STOA | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| ZTX614STOB | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| ZTX614STZ | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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