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參數(shù)資料
| 型號： | ZTX604K |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Obsolete |
| 中文描述： | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | ZTX604K |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
ZTX604
ZTX605
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
2K
5K
2K
0.5K
100K
2K
5K
2K
0.5K
100K
I
C
=50mA, V
CE
=5V
I
C
=500mA, V
=5V*
I
C
=1A, V
CE
=5V*
I
C
=2A, V
CE
=5V*
Transition Frequency
f
T
150
150
MHz
I
=100mA, V
CE
=10V
f=20MHz
Input Capacitance
C
ibo
90 Typical
pF
V
EB
=500mV, f=1MHz
Output Capacitance
C
obo
15 Typical
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
Switching Times
t
on
0.5 Typical
μ
s
I
C
=500mA, V
CE
=10V
I
B1
=I
B2
=0.5mA
t
off
1.6 Typical
μ
s
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
The maximum permissible operational temperature can be obtained from this graph using the
following equation
T
amb
(
max
)
=
Power
(
max
)
Power
(
act
)
0.0057
+
25°
C
T
amb(max
= Maximum operating ambient temperature
Power(max) = Maximum power dissipation figure, obtained from the above graph for a given V
CE
and source resistance (R
S
)
Power(actual)= Actual power dissipation in users circuit
ZTX604
ZTX605
Voltage Derating Graph
V
CE
- Collector-Emitter Voltage (Volts)
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1
10
100
DC Conditions
R
S
= 100K
R
S
=
M
200
R
S
= 1M
R
S
= 20K
ZTX605
ZTX604
3-213
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZTX614 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
| ZTX618 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR |
| ZTX649 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| ZTX651 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| ZTX650 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZTX604L | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:Obsolete |
| ZTX604STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX604STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX604STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX605 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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