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參數(shù)資料
| 型號： | ZTX560 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | E-LINE PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| 中文描述： | 150 mA, 500 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | E-LINE, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | ZTX560 |
1
SEMICONDUCTORS
ZTX560
ISSUE 1 - DECEMBER 2005
E-LINE PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FEATURES
Excellent h
FE
characterisristics up to I
C
=50mA
Low Saturation voltages
PARTMARKING
ZTX
560
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-500
V
Collector-emitter voltage
-500
V
Emitter-base voltage
-5
V
Peak pulse current
-500
mA
Continuous collector current
-150
mA
Power dissipation
1
W
Operating and storage temperature range
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS
Collector-base breakdown boltage
V
(BR)CBO
V
BR(CEO)
V
(BR)EBO
I
CBO
; I
CES
I
EBO
V
CE(sat)
-500
V
I
C
=-100
μ
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
μ
A
V
CB
=-500V; V
CE
=-500V
V
EB
=-5V
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA*
I
C
=-50mA, I
B
=-10mA*
I
C
=-50mA, I
B
=-10mA*
I
C
=-50mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-1mA, V
CE
=-10V
I
C
=-50mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-100mA, V
CE
=-10V*
V
=-20V, I
C
=-10mA,
f=50MHz
Collector-emitter breakdown voltage
-500
V
Emitter-base breakdown voltage
-5
V
Collector cut-off current
-100
nA
Emitter cut-off current
-100
nA
Collector-emitter saturation voltage
-0.2
-0.5
V
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE(sat)
V
BE(on)
h
FE
-0.9
V
Base-emitter turn on voltage
-0.9
V
Static forward current transfer ratio
100
80
15 typ
300
300
Transition frequency
f
T
60
MHz
Output capacitance
C
obo
t
on
t
off
8
pF
V
CB
=-20V, f=1MHz
V
CE
=-100V, I
C
=-50mA,
I
B1
=-5mA, I
B2
=10mA
Switching times
110 typ.
1.5 typ.
ns
s
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300 s. Duty cycle
2%
E-LINE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZTX576 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| ZTX600 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| ZTX601 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| ZTX605 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER(DARLINGTON TRANSISTORS) |
| ZTX604L | Obsolete |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZTX560_06 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:E-LINE PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| ZTX560STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighV 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX560STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighV 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX560STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighV 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX576 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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