參數(shù)資料
型號(hào)： ZTX600
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS
中文描述： 1000 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 72K
代理商： ZTX600
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER
DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 2 JUNE 94
FEATURES
*
160 Volt V
CEO
*
1 Amp continuous current
*
Gain of 5K at I
C
=1 Amp
*
P
tot
= 1 Watt
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
ZTX600
ZTX601
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
160
180
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
140
160
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
10
V
Peak Pulse Current
I
CM
4
A
Continuous Collector Current
I
C
1
A
Power Dissipation
at T
=25°C
derate above 25°C
P
tot
1
5.7
W
mW/ °C
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
ZTX600
ZTX601
UNIT CONDITIONS.
MIN.
TYP.
MAX. MIN.
TYP.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
160
180
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
140
160
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
10
10
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
0.01
10
0.01
10
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
V
CB
=140V
V
CB
=160V
V
CB
=140V,
T
a
=100°C
V
CB
=160V,
T
a
=100°C
Emitter Cut-Off
Current
I
EBO
0.1
0.1
μ
A
V
EB
=8V
Colllector-Emitter
Cut-Off Current
I
CES
10
10
μ
A
μ
A
V
CES
=140V
V
CES
=160V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.75
0.85
1.1
1.2
0.75
0.85
1.1
1.2
V
V
I
C
=0.5A, I
=5mA*
I
C
=1A, I
B
=10mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1.7
1.9
1.7
1.9
V
I
C
=1A, I
B
=10mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
1.5
1.7
1.5
1.7
V
IC=1A, V
CE
=5V*
E-Line
TO92 Compatible
ZTX600
ZTX601
3-206
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZTX601 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS
ZTX605 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER(DARLINGTON TRANSISTORS)
ZTX604L Obsolete
ZTX604 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER(DARLINGTON TRANSISTORS)
ZTX604K Obsolete
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參數(shù)描述
ZTX600A 功能描述:達(dá)林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
ZTX600ASTOA 功能描述:達(dá)林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
ZTX600ASTOB 功能描述:達(dá)林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
ZTX600ASTZ 功能描述:達(dá)林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
ZTX600B 功能描述:達(dá)林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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