參數(shù)資料
型號： ZTX576
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
中文描述： 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： ZTX576
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 1 APRIL 94
FEATURES
*
200 Volt V
CEO
*
1 Amp continuous current
*
P
tot
= 1 Watt
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-200
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-200
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5
V
Peak Pulse Current
I
CM
-2
A
Continuous Collector Current
I
C
-1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
1
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-200
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-200
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-0.1
μ
A
V
CB
=-160V
Emitter Cut-Off Current I
EBO
-0.1
μ
A
V
EB
=-4V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.3
V
I
C
=-100mA, I
B
=-10mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1
V
I
C
=-100mA, I
B
=-10mA*
Base-Emitter
Turn-on Voltage
V
BE(on)
-1
V
IC=-100mA, V
CE
=-10V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
50
50
300
I
C
=-10mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-300mA, V
CE
=-10V*
Transition
Frequency
f
T
100
MHz
I
=-50mA, V
CE
=-10V
f=100MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
E-Line
TO92 Compatible
ZTX576
3-204
C
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PDF描述
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