參數(shù)資料
型號： ZTX560_06
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： E-LINE PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
中文描述： E系列新進步黨高壓硅平面晶體管
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 124K
代理商： ZTX560_06
1
SEMICONDUCTORS
ZTX560
ISSUE 2 - SEPTEMBER 2006
E-LINE PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FEATURES
Excellent h
FE
characterisristics up to I
C
=50mA
Low Saturation voltages
PARTMARKING
ZTX
560
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-500
V
Collector-emitter voltage
-500
V
Emitter-base voltage
-5
V
Peak pulse current
-500
mA
Continuous collector current
-150
mA
Power dissipation
1
W
Operating and storage temperature range
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS
Collector-base breakdown boltage
V
(BR)CBO
V
BR(CEO)
V
(BR)EBO
I
CBO
; I
CES
I
EBO
V
CE(sat)
-500
V
I
C
=-100
μ
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
μ
A
V
CB
=-500V; V
CE
=-500V
V
EB
=-5V
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA*
I
C
=-50mA, I
B
=-10mA*
I
C
=-50mA, I
B
=-10mA*
I
C
=-50mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-1mA, V
CE
=-10V
I
C
=-50mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-100mA, V
CE
=-10V*
V
=-20V, I
C
=-10mA,
f=50MHz
Collector-emitter breakdown voltage
-500
V
Emitter-base breakdown voltage
-5
V
Collector cut-off current
-100
nA
Emitter cut-off current
-100
nA
Collector-emitter saturation voltage
-0.2
-0.5
V
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE(sat)
V
BE(on)
h
FE
-0.9
V
Base-emitter turn on voltage
-0.9
V
Static forward current transfer ratio
100
80
15 typ
300
300
Transition frequency
f
T
60
MHz
Output capacitance
C
obo
t
on
t
off
8
pF
V
CB
=-20V, f=1MHz
V
CE
=-100V, I
C
=-50mA,
I
B1
=-5mA, I
B2
=10mA
Switching times
110 typ.
1.5 typ.
ns
s
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300 s. Duty cycle
2%
E-LINE
PIN-OUT
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PDF描述
ZTX560 E-LINE PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ZTX576 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ZTX600 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS
ZTX601 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS
ZTX605 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER(DARLINGTON TRANSISTORS)
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參數(shù)描述
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ZTX560STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighV 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX560STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighV 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX576 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX576STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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