參數(shù)資料
型號: XN09D61
英文描述: Composite Device - Composite Transistors
中文描述: 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管
文件頁數(shù): 2/5頁
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代理商: XN09D61
XN09D61
2
SJJ00247BED
Switching time measurement circuit
470
μ
F
V
CC
=
5 V
R
L
Output
Input
R
B
I
B2
I
B1
20I
B1
=
20I
B2
=
I
C
=
750 mA
PW
=
20
μ
s
DC
1%
P
T
T
a
Common characteristics chart
0
200
400
600
0
40
80
120
T
T
Ambient temperature T
a
(
°
C)
Electrical Characteristics (continued)
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Tr (continued)
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
C
ob
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
25
35
pF
Transition frequency
f
T
V
CB
=
2 V, I
E
=
100 mA, f
=
200 MHz
270
MHz
Turn-on time
t
on
Refer to the switching time measurement circuit
25
ns
Storage time
t
stg
t
off
70
ns
Turn-off time
15
ns
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
SBD
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
V
F
I
F
=
700 mA
V
R
=
20 V
V
R
=
0, f
=
1 MHz
I
F
=
I
R
=
100 mA, I
rr
= 10 mA
R
L
= 100
0.45
V
Reverse current
I
R
C
t
t
rr
200
μ
A
Terminal capacitance
100
pF
Reverse recovery time
7
ns
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 Measuring methods for diodes.
2. Schottky barrier diode is frail with static electricity, and it should be kept in safety from shock of static electricity and static
electricity level.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
XN0A554 TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74
XN0A554(XN6A554) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
XN0F261 複合デバイス - 複合トランジスタ
XN0F262 Composite Device - Composite Transistors
XN200 MESSER L146MM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
XN09D6100L 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 1.5A MINI 6P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
XN0A311 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Composite Transistors
XN0A311(XN1A311) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス - 複合トランジスタ
XN0A31100L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/PNP W/RES MINI-5 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):70mA,100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k,2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz,200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046