參數(shù)資料
型號(hào)： XN0F262
英文描述： Composite Device - Composite Transistors
中文描述： 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 76K
代理商： XN0F262
1
Publication date: July 2003
SJJ00228AED
Composite Transistors
XN0F261
Silicon NPN epitaxial planar type
For muting
■
Features
Two elements incorporated into one package
(Collector-coupled transistors with built-in resistor)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit: mm
Internal Connection
Marking Symbol: 6B
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
30
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
20
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
5
V
Collector current
600
mA
Total power dissipation
P
T
300
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
6
Tr2
Tr1
5
4
3
1
2
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
1
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
1 mA, I
B
=
0
I
E
=
1
μ
A, I
C
=
0
V
CB
=
30 V, I
E
=
0
V
EB
=
5 V, I
C
=
0
V
CE
=
5 V, I
C
=
50 mA
I
C
=
50 mA, I
B
=
2.5 mA
30
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
EBO
20
V
Emitter-base voltage (Collector open)
5
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
1
μ
A
μ
A
Emitter-base cutoff current (Collector open)
I
EBO
h
FE
1
Forward current transfer ratio
100
600
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
80
mV
Input resistance
R
1
f
T
30%
3.3
+
30%
k
Transition frequency
V
CB
=
10 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
200
MHz
2.90
1.9
±
0.1
(0.95)
0.16
+0.10
2
+
–
1
+
–
1
0
+
–
1
(
0
±
0
+
–
0.30
+0.10
0.50
+0.10
(0.95)
6
5
4
1
3
2
+0.20
5
10
1: Emitter (Tr1)
2: Collector
3: Emitter (Tr2)
EIAJ: SC-74
4: Base (Tr2)
5: N.C.
6: Base (Tr1)
Mini6-G1 Package
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PDF描述
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參數(shù)描述
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XN0F26300L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN W/RES MINI-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
XN0NE9200L 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.2A MINI-5P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
XN100 制造商:Apex Tool Group 功能描述:Knife; 5-13/16 in.; Light Duty Precision Type of Knife; Aluminum 制造商:XCELITE 功能描述:KNIFE LIGHT DUTY 制造商:XCELITE 功能描述:KNIFE, LIGHT DUTY 制造商:Xcelite 功能描述:Light Duty Utility Knife 制造商:Cooper Hand Tools / Xcelite 功能描述:PRECISION KNIFE; Knife Type:Precision; Body Material:Aluminum; Features:Fine Pointed Blade; Lightduty Cutting on Paper & Soft, Lightweight Materials & Wood; For Use With:Xcelite XNB103 Replacement Blade; Length:5-13/16" ;RoHS Compliant: NA 制造商:Xcelite 功能描述:Xcelite 5 13/16 Light Duty Precision Knife
XN100B 功能描述:剝線和切削工具 Xcelite 5-13/16 Knfe Light Duty Precision RoHS:否 制造商:Molex 產(chǎn)品:Cable Strippers 類型: 描述/功能:Stripper
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