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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XN09D61 |
| 英文描述： | Composite Device - Composite Transistors |
| 中文描述： | 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 109K |
| 代理商： | XN09D61 |
Composite Transistors
XN09D61
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr)
Silicon epitaxial planar type (SBD)
1
Publication date: June 2003
SJJ00247BED
For DC-DC converter
■
Features
Two elements incorporated into one package (Tr
+
SBD)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
■
Basic Part Number
2SA2046
+
MA3ZD12
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: RA
Internal Connection
Unit: mm
2.90
1.9
±
0.1
+0.20
0.16
+0.10
2
+
–
1
+
–
1
0
+
–
1
(
0
±
0
+
–
(0.95)
0.50
+0.10
0.30
+0.10
(0.95)
4
5
6
3
1
2
5
°
10
°
Display at No.1 lead
4
3
6
1
2
5
Parameter
Symbol
Rating
15
Unit
Tr
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
15
V
Emitter-base voltage
(Collector open)
V
EBO
5
V
Collector current
I
C
I
CP
1.5
3
A
Peak collector current
A
SBD
Reverse voltage
V
R
20
V
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
25
V
Forward current (Average)
700
mA
Non-repetitive peak
forward surge current
2
A
Overall
Total power dissipation
*
P
T
T
j
600
mW
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Note)*: Measuring on ceramic substrate at 15 mm
×
15 mm
×
0.6 mm
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
1 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CB
=
10 V, I
E
=
0
V
CE
=
2 V, I
C
=
100 mA
I
C
=
750 mA, I
B
=
15 mA
I
C
=
1.5 A, I
B
=
50 mA
15
15
5
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
CBO
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
0.1
μ
A
Forward current transfer ratio
*
h
FE
160
560
Collector-emitter saturation voltage
*
V
CE(sat)
90
130
200
mV
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Tr
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: Pulse measurement
1: Emitter
2: Base
3: Anode
4: Collector (Cathode)
5: Collector (Cathode)
6: Collector (Cathode)
Mini6-G1 Package
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN0A554 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74 |
| XN0A554(XN6A554) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| XN0F261 | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XN0F262 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN200 | MESSER L146MM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XN09D6100L | 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 1.5A MINI 6P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| XN0A311 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Composite Transistors |
| XN0A311(XN1A311) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XN0A31100L | 功能描述:TRANS ARRAY NPN/PNP W/RES MINI-5 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046 |
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