參數(shù)資料
型號： XN08081
英文描述： Composite Device - Composite Transistors
中文描述： 復合設備-復合晶體管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： XN08081
Composite Transistors
XN08081
(XN8081)
Silicon N-channel junction (FET)
Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr)
1
Publication date: September 2001
SJJ002
44
AED
For analog switching
I
Features
Two elements incorporated into one package (J-FET
+
Tr)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
Low-frequency and low-noise J-FET
I
Basic Part Number of Element
2SK1103
+
UNR1213 (UN1213)
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: 9Z
Internal Connection
Unit: mm
1: Gate
2: Base
3: Emitter
EIAJ: SC-74
4: Collector
5: Source
6: Drain
Mini6-G1 Package
Parameter
Symbol
Rating
Unit
FET
Gate to drain voltage
V
GDS
50
V
Drain current
I
D
I
G
20
mA
Gate current
10
mA
Tr
Collector to base voltage
V
CBO
50
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
I
C
P
T
50
V
Collector current
100
mA
Overall
Total power dissipation
300
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
2.90
1.9
±0.1
(0.95)
0.16
+0.10
2
+
–
1
+
–
1
0
+
–
1
(
0
±
+
–
0.30
0.50
+0.10
+0.10
(0.95)
6
5
4
1
3
2
+0.20
5
°
10
°
6
Tr
R2
R1
FET
5
4
3
1
2
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
相關PDF資料
PDF描述
XN09D61 Composite Device - Composite Transistors
XN0A554 TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74
XN0A554(XN6A554) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
XN0F261 複合デバイス － 複合トランジスタ
XN0F262 Composite Device - Composite Transistors
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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