參數(shù)資料
型號： XN06877
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 100MA I(D) | SC-74
中文描述： 晶體管| MOSFET的|配對| N溝道| 50V五（巴西）直| 100mA的一（d）|律師- 74
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 54K
代理商： XN06877
Composite Transistors
XN06877
Silicon N-channel MOSFET
1
Publication date: September 2001
SJJ00114BED
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Rating
Drain to source voltage
V
DSS
50
V
of
Gate to source voltage
V
GSO
I
D
I
DP
±
20
V
element
Drain current
100
mA
200
mA
Total power dissipation
P
T
T
ch
T
stg
300
mW
Overall
Channel temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
For switching
I
Features
Two elements incorporated into one package (MOSFET)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
Low-voltage drive (V
th
: 1 V to 2 V)
I
Basic Part Number of Element
2SK2863
×
2 elements
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
1: Drain (FET1)
2: Gate (FET1)
3: Drain (FET2)
EIAJ: SC-74
4: Gate (FET2)
5: Source (FET2)
6: Source (FET1)
Mini6-G1 Package
Unit: mm
Internal Connection
Marking Symbol: KB
6
F
F
5
4
3
2
1
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Drain current
I
DSS
V
DS
=
50 V, V
GS
=
0 V
V
GS
=
±
20 V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
5 V, I
D
=
1
μ
A
V
DS
=
5 V, I
D
=
10 mA
V
GS
=
5 V, I
D
=
10 mA
V
DD
=
5 V, V
GS
=
0 V to 5 V, R
L
=
200
V
DD
=
5 V, V
GS
=
5 V to 0 V, R
L
=
200
0.1
μ
A
μ
A
Gate cutoff current
I
GSS
V
TH
Y
fs
±
1.0
Gate threshold voltage
1.0
2.0
V
Forward transfer admittance
15
mS
Drain on resistance
R
ON
t
ON
t
OFF
30
50
Turn-on time
150
ns
Turn-off time
35
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
2.90
1.9
±0.1
(0.95)
0.16
+0.10
2
+
–
1
+
–
1
0
+
–
1
(
0
±
+
–
0.30
0.50
+0.10
+0.10
(0.95)
6
5
4
1
3
2
+0.20
5
°
10
°
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PDF描述
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