- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄372919 > XN06401 TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | XN06401 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|一對|進(jìn)步黨| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|律師- 74 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | XN06401 |
1
Composite Transistors
XN06435
(XN6435)
Silicon PNP epitaxial planer transistor
For high-frequency amplification
I
Features
G
Two elements incorporated into one package.
G
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.
I
Basic Part Number of Element
G
2SA1022
×
2 elements
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Marking Symbol:
7W
Internal Connection
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
–30
V
Collector to emitter voltage
–20
V
Emitter to base voltage
V
EBO
I
C
P
T
–5
V
Collector current
–30
mA
Total power dissipation
300
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
150
C
Storage temperature
–55 to +150
C
Rating
of
element
Overall
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
= –10V, I
E
= 0
–0.1
μ
A
μ
A
μ
A
I
CEO
I
EBO
h
FE
V
CE
= –20V, I
B
= 0
V
EB
= –5V, IC = 0
V
CE
= –10V, I
C
= –1mA
–100
Emitter cutoff current
–10
Forward current transfer ratio
50
220
Forward current transfer h
FE
ratio
h
FE
(small/large)
*1
V
CE(sat)
V
BE
V
CE
= –10V, I
C
= –1mA
I
C
= –10mA, I
B
= –1mA
V
CE
= –10V, I
C
= –1mA
0.5
0.99
Collector to emitter saturation voltage
– 0.1
V
Base to emitter voltage
– 0.7
V
Transition frequency
f
T
NF
V
CB
= –10V, I
E
= 1mA, f = 200MHz
V
CB
= –10V, I
E
= 1mA, f = 5MHz
V
CB
= –10V, I
E
= 1mA, f = 2MHz
150
MHz
Noise figure
2.8
dB
Reverse transfer impedance
Z
rb
22
Common emitter reverse transfer capacitance
C
re
V
CB
= –10V, I
E
= 1mA, f = 10.7MHz
1.2
pF
*1
Ratio between 2 elements
1 : Collector (Tr1)
2 : Base (Tr1)
3 : Collector (Tr2)
4 : Base (Tr2)
5 : Emitter (Tr2)
6 : Emitter (Tr1)
EIAJ : SC–74
Mini Type Package (6–pin)
2.8
+0.2
–0.3
1.5
0.65
±
0.15
0.65
±
0.15
1
6
5
4
3
2
1
±
0
0
0
1
±
0
+0.25
0
+
–
0
+
–
2
+
–
1
+
–
0
0.4
±
0.2
0
0
+
–
0.1 to 0.3
6
1
2
Tr2
Tr1
5
4
3
Note.) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN06401(XN6401) | Composite Device - Composite Transistors |
| XN06776 | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XN06877 | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 100MA I(D) | SC-74 |
| XN08081 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN09D61 | Composite Device - Composite Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XN06401(XN6401) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Composite Transistors |
| XN0640100L | 功能描述:TRANS ARRAY PNP/PNP MINI-6P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402 |
| XN06435 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
| XN06435(XN6435) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:XN06435 (XN6435) - Composite Transistors |
| XN0643500L | 功能描述:TRANS ARRAY PNP/PNP MINI-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。