參數(shù)資料
型號(hào)： XN06401(XN6401)
英文描述： Composite Device - Composite Transistors
中文描述： 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
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代理商： XN06401(XN6401)
2
Composite Transistors
P
T
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
C
re
— V
CE
f
T
— I
E
PG — I
C
NF — I
E
XN06435
0
100
200
300
400
500
0
40
80
120
160
Ambient temperature Ta (
C)
T
T
0
0
–
10
–
2
–
4
–
8
–
6
–
30
–
25
–
20
–
15
–
10
–
5
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Ta=25
C
I
B
=
–
250
μ
A
–
100
μ
A
–
150
μ
A
–
200
μ
A
–
50
μ
A
–
0.01
–
0.03
–
0.1
–
0.3
–
0.1
–
0.3
–
1
–
3
–
10
–
30
–
100
–
1
–
3
–
10
–
30
–
100
Collector current I
C
(mA)
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75
C
25
C
–
25
C
0
–
0.1
–
0.3
120
100
80
60
40
20
–
1
–
3
–
10
–
30
–
100
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
–
10V
Ta=75
C
25
C
–
25
C
0
–
0.1
–
0.3
Collector to base voltage V
CB
(V)
6
5
4
3
2
1
–
1
–
3
–
10
–
30
–
100
C
o
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25
C
C
r
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
–
1
–
5
–
20
–
2
–
3
–
50
–
10
–
30
–
100
0
5
4
3
2
1
I
C
=
–
1mA
f=10.7MHz
Ta=25
C
0.1
0.3
Emitter current I
E
(mA)
1
3
10
30
100
T
T
0
600
500
400
300
200
100
V
CB
=
–
10V
Ta=25
C
–
0.1
–
0.3
–
1
–
3
–
10
–
30
–
100
P
Collector current I
C
(mA)
0
24
20
16
12
8
4
V
CE
=
–
10V
f=100MHz
Ta=25
C
0.1
0.3
1
3
10
2
0.5
0.2
Emitter current I
E
(mA)
5
N
0
1
2
3
5
4
V
CB
=
–
10V
f=100MHz
Ta=25
C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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XN06435(XN6435) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:XN06435 (XN6435) - Composite Transistors
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XN06501 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
XN06501(XN6501) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Composite Transistors
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