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參數(shù)資料
| 型號： | XN04312 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74 |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|律師- 74 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 83K |
| 代理商： | XN04312 |
2
Composite Transistors
I Electrical Characteristics (Ta=25C)
G Tr1
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector to base voltage
VCBO
IC = 10A, IE = 0
50
V
Collector to emitter voltage
VCEO
IC = 2mA, IB = 0
50
V
Collector cutoff current
ICBO
VCB = 50V, IE = 0
0.1
A
ICEO
VCE = 50V, IB = 0
0.5
A
Emitter cutoff current
IEBO
VEB = 6V, IC = 0
0.2
mA
Forward current transfer ratio
hFE
VCE = 10V, IC = 5mA
60
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = 10mA, IB = 0.3mA
0.25
V
Output voltage high level
VOH
VCC = 5V, VB = 0.5V, RL = 1k
4.9
V
Output voltage low level
VOL
VCC = 5V, VB = 2.5V, RL = 1k
0.2
V
Transition frequency
fT
VCB = 10V, IE = –1mA, f = 200MHz
150
MHz
Input resistance
R1
–30%
22
+30%
k
Resistance ratio
R1/R2
0.8
1.0
1.2
G
Tr2
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector to base voltage
VCBO
IC = –10
A, I
E = 0
–50
V
Collector to emitter voltage
VCEO
IC = –2mA, IB = 0
–50
V
Collector cutoff current
ICBO
VCB = –50V, IE = 0
– 0.1
A
ICEO
VCE = –50V, IB = 0
– 0.5
A
Emitter cutoff current
IEBO
VEB = –6V, IC = 0
– 0.2
mA
Forward current transfer ratio
hFE
VCE = –10V, IC = –5mA
60
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = –10mA, IB = – 0.3mA
– 0.25
V
Output voltage high level
VOH
VCC = –5V, VB = –0.5V, RL = 1k
–4.9
V
Output voltage low level
VOL
VCC = –5V, VB = –2.5V, RL = 1k
– 0.2
V
Transition frequency
fT
VCB = –10V, IE = 1mA, f = 200MHz
80
MHz
Input resistance
R1
–30%
22
+30%
k
Resistance ratio
R1/R2
0.8
1.0
1.2
XN04312
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