參數(shù)資料
型號(hào): XN04312
英文描述: TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74
中文描述: 晶體管| 50V五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|律師- 74
文件頁(yè)數(shù): 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 83K
代理商: XN04312
1
Composite Transistors
XN04312 (XN4312)
Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr1)
Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr2)
For switching/digital circuits
I Features
G Two elements incorporated into one package.
(Transistors with built-in resistor)
G Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.
I Basic Part Number of Element
G UNR1212(UN1212) + UNR1112(UN1112)
I Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)
Unit: mm
Marking Symbol:
7T
Internal Connection
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
50
V
Collector to emitter voltage
VCEO
50
V
Collector current
IC
100
mA
Collector to base voltage
VCBO
–50
V
Collector to emitter voltage
VCEO
–50
V
Collector current
IC
–100
mA
Total power dissipation
PT
300
mW
Junction temperature
Tj
150
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
C
Tr1
Overall
Tr2
1 : Collector (Tr1)
4 : Collector (Tr2)
2 : Base (Tr2)
5 : Base (Tr1)
3 : Emitter (Tr2)
6 : Emitter (Tr1)
EIAJ : SC–74
Mini Type Package (6–pin)
2.8
+0.2
–0.3
1.5
0.65
±0.15
0.65
±0.15
1
6
5
4
3
2
1.45
±
0.1
0.95
1.9
±
0.1
+0.25
–0.05
0.3
+0.1 –0.05
0.5
+0.1 –0.05
2.9
+0.2 –0.05
1.1
+0.2
–0.1
0.8
0.4
±0.2
0
to
0.05
0.16
+0.1
–0.06
0.1 to 0.3
6
Tr2
Tr1
5
43
2
1
Note.) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
XN04312(XN4312) Composite Device - Composite Transistors
XN0431L(XN431L) 複合デバイス - 複合トランジスタ
XNES/J210 12V, 0.5A, 2.1mm DIAMETER, DC POWER PLUG OR JACK
XNES/J250 12V, 1A, 2.5mm DIAMETER, DC POWER PLUG OR JACK
XP134A11A1SR P-Channel Power MOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
XN04312(XN4312) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Composite Transistors
XN0431200L 功能描述:TRANS ARRAY PNP/NPN W/RES MINI6P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:1 個(gè) NPN,1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):70mA,100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k,2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz,200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
XN04314 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor
XN04314(XN4314) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス - 複合トランジスタ
XN0431400L 功能描述:TRANS ARRAY PNP/NPN W/RES MINI6P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:1 個(gè) NPN,1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極 (Ic)(最大):70mA,100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k,2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz,200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046