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參數(shù)資料
| 型號： | XN04312(XN4312) |
| 英文描述： | Composite Device - Composite Transistors |
| 中文描述： | 復合設備-復合晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 83K |
| 代理商： | XN04312(XN4312) |
1
Composite Transistors
XN04312 (XN4312)
Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr1)
Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr2)
For switching/digital circuits
I Features
G Two elements incorporated into one package.
(Transistors with built-in resistor)
G Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.
I Basic Part Number of Element
G UNR1212(UN1212) + UNR1112(UN1112)
I Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)
Unit: mm
Marking Symbol:
7T
Internal Connection
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
50
V
Collector to emitter voltage
VCEO
50
V
Collector current
IC
100
mA
Collector to base voltage
VCBO
–50
V
Collector to emitter voltage
VCEO
–50
V
Collector current
IC
–100
mA
Total power dissipation
PT
300
mW
Junction temperature
Tj
150
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
C
Tr1
Overall
Tr2
1 : Collector (Tr1)
4 : Collector (Tr2)
2 : Base (Tr2)
5 : Base (Tr1)
3 : Emitter (Tr2)
6 : Emitter (Tr1)
EIAJ : SC–74
Mini Type Package (6–pin)
2.8
+0.2
–0.3
1.5
0.65
0.65
±0.15
1
6
5
4
3
2
1.45
±
0.1
0.95
1.9
±
0.1
+0.25
–0.05
0.3
+0.1 –0.05
0.5
+0.1 –0.05
2.9
+0.2 –0.05
1.1
+0.2
–0.1
0.8
0.4
±0.2
0
to
0.05
0.16
+0.1
–0.06
0.1 to 0.3
6
Tr2
Tr1
5
43
2
1
Note.) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN0431L(XN431L) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XNES/J210 | 12V, 0.5A, 2.1mm DIAMETER, DC POWER PLUG OR JACK |
| XNES/J250 | 12V, 1A, 2.5mm DIAMETER, DC POWER PLUG OR JACK |
| XP134A11A1SR | P-Channel Power MOS FET |
| XQV300-4BGG352N | FPGA, 1536 CLBS, 322970 GATES, PBGA352 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| XN04315 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74 |
| XN04315(XN4315) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
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