參數(shù)資料
型號(hào)： XN04312(XN4312)
英文描述： Composite Device - Composite Transistors
中文描述： 復(fù)合設(shè)備-復(fù)合晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 83K
代理商： XN04312(XN4312)
3
Composite Transistors
0
012
210
48
6
40
120
80
160
140
100
60
20
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
Ta=25C
IB=1.0mA
0.1mA
0.2mA
0.3mA
0.4mA
0.5mA
0.6mA
0.7mA
0.9mA
0.8mA
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
Collector current IC (mA)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
IC/IB=10
Ta=75C
25C
– 25C
0
13
100
200
300
400
10
30
100
300
1000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE=10V
Ta=75C
25C
– 25C
0
0.1
0.3
6
5
4
3
2
1
3
10
30
100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage
VCB (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25C
1
3
0.4
10
30
100
300
1000
3000
10000
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage VIN (V)
VO=5V
Ta=25C
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
VO=0.2V
Ta=25C
0
100
200
300
400
500
0
40
80
120
160
Ambient temperature Ta (C)
Total
power
dissipation
P
T
(mW
)
Common characteristics chart
PT — Ta
Characteristics charts of Tr1
IC — VCE
VCE(sat) — IC
hFE — IC
Cob — VCB
IO — VIN
VIN — IO
XN04312
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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