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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XN0421L(XN421L) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-複合トランジスタ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | XN0421L(XN421L) |
2
Composite Transistors
XN04210
0
100
200
300
400
500
0
40
80
120
160
Ambient temperature Ta (C)
Total
power
dissipation
P
T
(mW
)
012
210
48
6
0
60
50
40
30
20
10
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
Ta=25C
IB=1.0mA
0.1mA
0.3mA
0.4mA
0.5mA
0.6mA
0.7mA
0.8mA
0.9mA
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
Collector current IC (mA)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
IC/IB=10
Ta=75C
25C
– 25C
0
13
100
200
300
400
350
250
150
50
10
30
100
300
1000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE=10V
Ta=75C
25C
– 25C
0
0.1
0.3
6
5
4
3
2
1
3
10
30
100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage
VCB (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25C
1
3
0.4
10
30
100
300
1000
3000
10000
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage VIN (V)
VO=5V
Ta=25C
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
VO=0.2V
Ta=25C
PT — Ta
IC — VCE
VCE(sat) — IC
hFE — IC
Cob — VCB
IO — VIN
VIN — IO
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN0421N(XN421N) | Composite Device - Composite Transistors |
| XN04312 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74 |
| XN04312(XN4312) | Composite Device - Composite Transistors |
| XN0431L(XN431L) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XNES/J210 | 12V, 0.5A, 2.1mm DIAMETER, DC POWER PLUG OR JACK |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XN0421N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74 |
| XN0421N(XN421N) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Composite Transistors |
| XN04311 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer transistor |
| XN04311(XN4311) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
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