參數(shù)資料
型號(hào)： WED9LAPC2C16P8BI
廠商： MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS
元件分類： DRAM
英文描述： 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, PBGA153
封裝： 14 X 22 MM, BGA-153
文件頁(yè)數(shù)： 6/21頁(yè)
文件大?。?/td> 693K
代理商： WED9LAPC2C16P8BI
14
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.wedc.com
White Electronic Designs
WED9LAPC2B16P8BC
November 2001
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
FIGURE 8 – SDRAM PAGE WRITE CYCLE AT DIFFERENT BANK @ BURST LENGTH = 4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
GCK
VCRAS#
VCCAS#
VCADDR
VCBS
VCADDR9/AP
VCDATA
VCWE#
VCDQM#
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Write
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Write
(B-Bank)
Write
(B-Bank)
Precharge
(Both Banks)
DON’T CARE
Note 2
RAa
CAa
RBb
CBb
CBd
CAc
RAa
RBb
Note 1
tRDL
tCDL
DBb0
DBb1
DBb2
DBb3
DAc0
DAc1
DBd0
DBd1
DAa0
DAa1
DAa2
DAa3
NOTES:
1. To interrupt burst write by Row precharge, VCDQM# should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt a burst read by Row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
WME128K8-200CC 128K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, CDIP32
WMF128K8-60DEQ5 128K X 8 FLASH 5V PROM, 60 ns, CDSO32
WMF128K8-70FEC5A 128K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, CDFP32
WMF128K8-70FEQ5 128K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, CDFP32
WMS256K16-35FGC 256K X 16 STANDARD SRAM, 35 ns, CDSO44
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
WED9LAPC2C16V8BC 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:512K x 32 SSRAM / 1M x 64 SDRAM
WED9LAPC2C16V8BI 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:512K x 32 SSRAM / 1M x 64 SDRAM
WED9LAPC3C16V8BC 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:512K x 32 SSRAM / 1M x 64 SDRAM
WED9LAPC3C16V8BI 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:512K x 32 SSRAM / 1M x 64 SDRAM
WED9LC6416V 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:128Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
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