- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄203637 > W987Z6CBG80 (WINBOND ELECTRONICS CORP) 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | W987Z6CBG80 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 18/46頁 |
| 文件大小： | 1634K |
| 代理商： | W987Z6CBG80 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁當前第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁
Preliminary W987Z6CB
Publication Release Date: June 24, 2002
- 25 -
Revision A1
Operating Timing Example, continued
Interleaved Bank Read (Burst Length = 4, CAS Latency = 3, Auto Precharge)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
(CLK = 100 MHz)
CLK
CKE
DQM
A0-A9,
A11
A10
BS1
WE
CAS
RAS
CS
BS0
tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRP
tRAS
tRP
tRAS
tRCD
tAC
tRRD
Active
Read
Active
Read
Active
Read
tRC
RAa
RBb
RAc
RBd
RAe
DQ
aw0
aw1
aw2
aw3
bx0
bx1
bx2
bx3
cy0
cy1
cy2
cy3
dz0
* AP is the internal precharge start timing
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
AP*
RAa
CAw
RBb
CBx
RAc
CAy
RBd
RAe
CBz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WA-1RVX051-A4 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH |
| WA-1RX12-A4 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH |
| WB3M200VD1R800 | 200 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT SINGLE PART CARD EDGE CONN, SURFACE MOUNT, PLUG |
| WB3F200VD1R1000 | 200 CONTACT(S), FEMALE, STRAIGHT SINGLE PART CARD EDGE CONN, SURFACE MOUNT, RECEPTACLE |
| WB3F200VD1 | 200 CONTACT(S), FEMALE, STRAIGHT SINGLE PART CARD EDGE CONN, SURFACE MOUNT, RECEPTACLE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W987Z6CBN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM |
| W988D2FB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256Mb Mobile LPSDR |
| W988D2FBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC LPSDR SDRAM 256MBIT 90VFBGA |
| W988D2FBJX6I | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256Mb Mobile LPSDR |
| W988D2FBJX7E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC LPSDR SDRAM 256MBIT 90VFBGA |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。