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參數(shù)資料
| 型號： | W949D2CBJX5E |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 55/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 1160K |
| 代理商： | W949D2CBJX5E |
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W949D6CB / W949D2CB
512Mb Mobile LPDDR
Publication Release Date: Jun, 14, 2011
- 59 -
Revision A01-006
11. REVISION HISTORY
VERSION
DATE
PAGE
DESCRIPTION
A01-001
01/28/2011
All
Product datasheet for customer.
A01-002
03/07/2011
48,49
Update IDD specification.
A01-003
03/14/2011
All
4
52
48,49
Update name of document title.
Unify the datasheet for package product.
Update operating temperature range.
Update tRFC value to 72ns.
Update Idd2N value to 10mA.
A01-004
03/24/2011
7,12,18,47,52 Remove TQ description.
A01-005
05/17/2011
17
48,49
50
12
Update definition of SRR[10:8].
Update IDD4R & IDD4W value.
Add PASR value for Normal power grade.
Refine Figure 6.1.2.
A01-006
06/14/2011
48,49
Update IDD2P & IDD2PS value.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF128K32N-150HC5 | 512K X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, HIP66 |
| WPS512K8LB-85GM | 512K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO32 |
| WPS128K32GV-17PJI | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 17 ns, PQMA68 |
| WF2M32B-150HM5 | 8M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CHIP66 |
| WF2M32B-120G2UC5 | 8M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W949D2CBJX5ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ |
| W949D2CBJX5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA |
| W949D2CBJX5I TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ, INDUST |
| W949D2CBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA |
| W949D2CBJX6ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 166MHZ, 65NM |
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