參數(shù)資料
型號(hào)： W25X40BLSNIG
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： PROM
英文描述： 4M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8
封裝： 0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 42/53頁(yè)
文件大?。?/td> 2041K
代理商： W25X40BLSNIG
W25X10BL/20BL/40BL
Publication Release Date: October 14, 2009
- 47 -
Preliminary -- Revision A
11.2 8-Pin SOIC 208-mil (Package Code SS)
SYMBOL
MILLIMETERS
INCHES
MIN
NOM
MAX
MIN
NOM
MAX
A
1.75
1.95
2.16
0.069
0.077
0.085
A1
0.05
0.15
0.25
0.002
0.006
0.010
A2
1.70
1.80
1.91
0.067
0.071
0.075
b
0.35
0.42
0.48
0.014
0.017
0.019
C
0.19
0.20
0.25
0.007
0.008
0.010
D
5.18
5.28
5.38
0.204
0.208
0.212
D1
5.13
5.23
5.33
0.202
0.206
0.210
E
5.18
5.28
5.38
0.204
0.208
0.212
E1
5.13
5.23
5.33
0.202
0.206
0.210
e
1.27 BSC
0.050 BSC
H
7.70
7.90
8.10
0.303
0.311
0.319
L
0.50
0.65
0.80
0.020
0.026
0.031
y
-
0.010
-
0.004
θ
0°
-
8°
0°
-
8°
Notes:
1. Controlling dimensions: millimeters, unless otherwise specified.
2. BSC = Basic lead spacing between centers.
3. Dimensions D1 and E1 do not include mold flash protrusions and should be measured from the bottom of the package.
4. Formed leads coplanarity with respect to seating plane shall be within 0.004 inches
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W3H128M72ER-667SBC 128M X 72 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA255
W3H128M72ER-667SBM 128M X 72 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA255
W3EG72126S262AJD3SG 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184
W3EG72126S265JD3SG 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184
W3H128M72E0533SBM DDR DRAM, PBGA208
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W25X40BLSSIG 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT AND 4M-BIT 2.5V SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL I/O SPI
W25X40BLSVIG 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.5V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL I/O SPI
W25X40BLUXIG 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.5V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL I/O SPI
W25X40BLZPIG 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT AND 4M-BIT 2.5V SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL I/O SPI
W25X40BV 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT AND 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL I/O SPI
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