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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W25X32-VSSI-Z |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| 封裝： | 0.208 INCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 32/47頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1317K |
| 代理商： | W25X32-VSSI-Z |
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W25X16, W25X32, W25X64
- 38 -
12.8 AC Electrical Characteristics (cont’d)
SPEC
DESCRIPTION
SYMBOL
ALT
MIN
TYP
MAX
UNIT
/HOLD Active Setup Time relative to CLK
tHLCH
5
ns
/HOLD Active Hold Time relative to CLK
tCHHH
5
ns
/HOLD Not Active Setup Time relative to CLK
tHHCH
5
ns
/HOLD Not Active Hold Time relative to CLK
tCHHL
5
ns
/HOLD to Output Low-Z
tHHQX(2)
tLZ
7
ns
/HOLD to Output High-Z
tHLQZ(2)
tHZ
12
ns
Write Protect Setup Time Before /CS Low
tWHSL(3)
20
ns
Write Protect Hold Time After /CS High
tSHWL(3)
100
ns
/CS High to Power-down Mode
tDP(2)
3
s
/CS High to Standby Mode without Electronic
Signature Read
tRES1(2)
3
s
/CS High to Standby Mode with Electronic
Signature Read
tRES2(2)
1.8
s
Write Status Register Time
tW
10
15
ms
Byte Program Time (First Byte) (5)
tBP1
100
150
s
Additional Byte Program Time (After First Byte) (5)
tBP2
6
12
s
Page Program Time
tPP
1.5
3
ms
Sector Erase Time (4KB)
tSE
150
300
ms
Block Erase Time (64KB)
tBE
1
2
s
Chip Erase Time W25X16
Chip Erase Time W25X32
Chip Erase Time W25X64
tCE
15
25
35
40
80
160
s
Notes:
1.
Clock high + Clock low must be less than or equal to 1/fC.
2.
Value guaranteed by design and/or characterization, not 100% tested in production.
3.
Only applicable as a constraint for a Write Status Register instruction when Sector Protect Bit is set to 1.
4.
Commercial temperature only applies to Fast Read (FR0 & FR1). Industrial temperature applies to all other parameters.
5.
For multiple bytes after first byte within a page,
tBPN = tBP1 + tBP2 * N (typical) and tBPN = tBP1 + tBP2 * N (max), where N
= number of bytes programmed.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF1024K32E-150H2M | 4M X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 150 ns, CHIP66 |
| WS128K48-20G4WMA | 768K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP116 |
| WSF512K32-39G2TMA | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, CQFP68 |
| WS512K16-35DLIA | 512K X 16 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CDMA44 |
| WS512K8-35CQ | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, DMA32 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25X32VZEI | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16M-BIT, 32M-BIT, AND 64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
| W25X32VZEIG | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 75MHZ 8WSON RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W25X32VZEIG T&R | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 75MHZ 8WSON RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W25X32VZEIZ | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16M-BIT, 32M-BIT, AND 64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
| W25X32VZPI | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16M-BIT, 32M-BIT, AND 64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
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