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參數(shù)資料
| 型號： | W25Q20BWUXIP |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封裝： | 2 X 3 MM, GREEN, USON-8 |
| 文件頁數(shù)： | 59/70頁 |
| 文件大?。?/td> | 2106K |
| 代理商： | W25Q20BWUXIP |
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W25Q20BW
- 62 -
9.7 AC Electrical Characteristics (cont’d)
DESCRIPTION
SYMBOL
ALT
SPEC
UNIT
MIN
TYP
MAX
/HOLD Active Hold Time relative to CLK
tCHHH
5
ns
/HOLD Not Active Setup Time relative to CLK
tHHCH
5
ns
/HOLD Not Active Hold Time relative to CLK
tCHHL
5
ns
/HOLD to Output Low-Z
tHHQX(2)
tLZ
7
ns
/HOLD to Output High-Z
tHLQZ(2)
tHZ
12
ns
Write Protect Setup Time Before /CS Low
tWHSL(3)
20
ns
Write Protect Hold Time After /CS High
tSHWL(3)
100
ns
/CS High to Power-down Mode
tDP(2)
3
s
/CS High to Standby Mode without Electronic
Signature Read
tRES1(2)
30
s
/CS High to Standby Mode with Electronic Signature
Read
tRES2(2)
30
s
/CS High to next Instruction after Suspend
tSUS(2)
20
s
Write Status Register Time
tW
10
15
ms
Byte Program Time (First Byte) (4)
tBP1
20
50
s
Additional Byte Program Time (After First Byte) (4)
tBP2
2.5
10
s
Page Program Time
tPP
0.4
0.8
ms
Sector Erase Time (4KB)
tSE
30
200/400(5)
ms
Block Erase Time (32KB)
tBE1
120
800
ms
Block Erase Time (64KB)
tBE2
150
1,000
ms
Chip Erase Time
tCE
1
4
s
Notes:
1.
Clock high + Clock low must be less than or equal to 1/fC.
2.
Value guaranteed by design and/or characterization, not 100% tested in production.
3.
Only applicable as a constraint for a Write Status Register instruction when SRP0 bit is set to 1.
4.
For multiple bytes after first byte within a page,
tBPN = tBP1 + tBP2 * N (typical) and tBPN = tBP1 + tBP2 * N (max), where N =
number of bytes programmed.
5.
Max Value tSE with <50K cycles is 200ms and >50K & <100K cycles is 400ms.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25Q32BVSSAG | 32M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W25Q32BVSSAP | 32M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W25Q32BWSNIP | 4M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| W25Q32BWSSIG | 4M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W25Q40BWSNIP | 4M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25Q20BWZPIG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1.8V 2M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q20BWZPIP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1.8V 2M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q20CLSNIG | 功能描述:IC FLASH SPI 2MBIT 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| W25Q20CLZPIG | 功能描述:IC FLASH SPI 2MBIT 8WSON RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 標準包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 寬） 供應商設備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8 |
| W25Q256FVEIG | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述: 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 256MBIT 80MHZ 8WSON |
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