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參數(shù)資料
| 型號： | VP2020E |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 70MA I(D) | TO-206AC |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 200伏五（巴西）直|提供70mA（丁）|對206AC |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | VP2020E |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VP2020L | P-Channel 200-V (D-S) MOSFETs |
| VP2020L | P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-200V，夾斷電流-0.12A的P溝道增強型MOSFET晶體管) |
| VP2104N3 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | TO-92 |
| VP2104ND | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | CHIP |
| VP2106 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-60V,12Ω，P溝道增強型垂直DMOS結構場效應管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VP2020L | 功能描述:MOSFET 200V 0.12A 0.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VP2-0216 | 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:Ind Power Wirewound 10.6uH 20% Ferrite 1.26A T/R |
| VP2-0216-R | 功能描述:固定電感器 10.6uH 0.76A 0.09ohms RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm |
| VP2-0216-R | 制造商:Cooper Bussmann / Coiltronics 功能描述:INDUCTOR |
| VP2-0216-R | 制造商:Cooper Bussmann / Coiltronics 功能描述:INDUCTOR |
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