參數(shù)資料
型號(hào)： VNW35NV04
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 8/19頁(yè)
文件大小： 412K
代理商： VNW35NV04
8/19
VNB35NV04 / VNP35NV04 / VNV35NV04 / VNW35NV04
Source-Drain Diode Forward Characteristics
Static Drain Source On Resistance
D2PAK, TO-220 & TO-247 Static Drain-Source On
resistance Vs. Input Voltage
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
Vin (V)
0
5
10
15
20
25
30
Rds(on) (mOhm)
Id=15A
Id=7.5A
Id=15A
Id=7.5A
Id=15A
Id=7.5A
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=-40oC
0
5
10
15
20
25
30
35
Id (A)
650
700
750
800
850
900
950
Vsd (mV)
Vin=0V
0
1
2
3
4
5
6
Id (A)
10
20
30
40
50
Rds(on) (mOhm)
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=-40oC
Vin=2.5V
PowerSO-10 Static Drain-Source On resistance Vs.
Input Voltage
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
Vin (V)
5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
22.5
25
27.5
Rds(on) (mOhm)
Id=15A
Id=7.5A
Id=15A
Id=7.5A
Id=15A
Id=7.5A
Tj=25°C
Tj=150°C
Tj=-40°C
0
5
10
15
20
25
30
35
Id (A)
0
5
10
15
20
25
30
Rds(on) (mOhm)
Tj=25oC
Tj=-40oC
Tj=150oC
Vin=5V
PowerSO-10 Static Drain-Source On Resistance
Vs. Id
D2PAK, TO-220 & TO-247 Static Drain-Source On
Resistance Vs. Id
0
4
8
12
16
20
24
28
32
Id (A)
0
3
6
9
12
15
18
21
24
Rds(on) (mOhm)
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=-40oC
Vin=5V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNW50N04A THERMISTOR, NTC; Series:B578; Thermistor type:NTC; Resistance:100kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:4540; Temperature, lower limit, beta value:25(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
VNW50N04 ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VO1815-3 Peripheral IC
VO1814 Peripheral IC
VO1815-1 Peripheral IC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VNW35NV04-E 功能描述:電源開(kāi)關(guān) IC - 配電 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開(kāi)啟電阻（最大值）:85 mOhms 開(kāi)啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNW50N04 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNW50N04A 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNW50N04A_04 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNW50N04-E 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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