參數(shù)資料
型號(hào)： VNW35NV04
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/19頁
文件大?。?/td> 412K
代理商： VNW35NV04
3/19
VNB35NV04 / VNP35NV04 / VNV35NV04 / VNW35NV04
THERMAL DATA
(*)
When mounted on a standard single-sided FR4 board with 50mm
2
of Cu (at least 35
μ
m thick) connected to all DRAIN pins.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(-40°C < T
j
< 150°C, unless otherwise specified)
OFF
ON
Symbol
Parameter
Value
D2PAK
1
50(*)
Unit
PowerSO-10
1
50(*)
TO-220
1
50
TO-247
0.6
30
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
}}}
MAX
Thermal Resistance Junction-ambient MAX
°C/W
°C/W
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
CLAMP
Drain-source Clamp
Voltage
Drain-source Clamp
Threshold Voltage
Input Threshold Voltage
Supply Current from Input
Pin
Input-Source Clamp
Voltage
Zero Input Voltage Drain
Current (V
IN
=0V)
V
IN
=0V; I
D
=15A
40
45
55
V
V
CLTH
V
IN
=0V; I
D
=2mA
36
V
V
INTH
V
DS
=V
IN
; I
D
=1mA
0.5
2.5
V
I
ISS
V
DS
=0V; V
IN
=5V
100
150
μ
A
V
INCL
I
IN
=1mA
I
IN
=-1mA
V
DS
=13V; V
IN
=0V; T
j
=25°C
V
DS
=25V; V
IN
=0V
6
-1.0
6.8
8
-0.3
30
75
V
I
DSS
μ
A
Symbol
Parameter
Test Conditions
Max
Unit
PowerSO-10
D
2
PAK
TO-220 / TO-247
13
24
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
IN
=5V; I
D
=15A; T
j
=25°C
V
IN
=5V; I
D
=15A; T
j
=150°C
10
20
m
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNW50N04A THERMISTOR, NTC; Series:B578; Thermistor type:NTC; Resistance:100kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:4540; Temperature, lower limit, beta value:25(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
VNW50N04 ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VO1815-3 Peripheral IC
VO1814 Peripheral IC
VO1815-1 Peripheral IC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VNW35NV04-E 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNW50N04 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNW50N04A 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNW50N04A_04 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNW50N04-E 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 50A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*