參數(shù)資料
型號: VND5E012AYTR-E
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 模擬信號調(diào)理
英文描述: SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO36
封裝: ROHS COMPLIANT, SSOP-36
文件頁數(shù): 4/37頁
文件大?。?/td> 924K
代理商: VND5E012AYTR-E
Electrical specifications
VND5E012AY-E
Doc ID 13621 Rev 2
THYST
Thermal hysteresis
(TTSD-TR)
7°C
VDEMAG
Turn-off output voltage
clamp
IOUT=2A; VIN=0; L=6mH
VCC-28 VCC-31 VCC-35
V
VON
Output voltage drop
limitation
IOUT=0.4A; Tj=-40°C...150°C
(see fig. Figure 10)
25
mV
1.
To ensure long term reliability under heavy overload or short circuit conditions, protection and related
diagnostic signals must be used together with a proper software strategy. If the device is subjected to
abnormal conditions, this software must limit the duration and number of activation cycles
Table 10.
Logic input
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
VIL
Input low level voltage
0.9
V
IIL
Low level input current
VIN=0.9V
1
A
VIH
Input high level voltage
2.1
V
IIH
High level input current VIN=2.1V
10
A
VI(hyst)
Input hysteresis voltage
0.25
V
VICL
Input clamp voltage
IIN=1mA
IIN=-1mA
5.5
-0.7
7V
V
VCSDL
CS_DIS low level
voltage
0.9
V
ICSDL
Low level CS_DIS
current
VCSD=0.9V
1
A
VCSDH
CS_DIS high level
voltage
2.1
V
ICSDH
High level CS_DIS
current
VCSD=2.1V
10
A
VCSD(hyst)
CS_DIS hysteresis
voltage
0.25
V
VCSCL
CS_DIS clamp voltage
ICSD=1mA
ICSD=-1mA
5.5
-0.7
7V
V
Table 9.
Protections (1) (continued)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNL5050S5-E POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8
VNL5050N3TR-E POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3
VO27.0000000M0000001 VCXO, CLOCK, 27 MHz, TTL OUTPUT
VP06DDC1R0N999 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
VP06DDC1R0N001 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VND5E012MY-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E012MYTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E025AK-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E025AKTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E025ASTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double CH High-Side 41V 25mOhm 60A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube