參數(shù)資料
型號: VND5E012AYTR-E
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 模擬信號調(diào)理
英文描述: SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO36
封裝: ROHS COMPLIANT, SSOP-36
文件頁數(shù): 2/37頁
文件大?。?/td> 924K
代理商: VND5E012AYTR-E
Electrical specifications
VND5E012AY-E
Doc ID 13621 Rev 2
)
Table 7.
Current sense (8V<VCC<18V)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
K0
IOUT/ISENSE
IOUT=0.25A; VSENSE=0.5V
Tj= -40°C...150°C
2615
5130
7770
K1
IOUT/ISENSE
IOUT=5A; VSENSE=0.5V
Tj=-40°C...150°C
Tj=25°C...150°C
4155
4530
5330
6650
6130
dK1/K1
(1)
Current sense ratio
drift
IOUT=5A; VSENSE= 0.5V;
VCSD=0V;
TJ= -40 °C to 150 °C
-8
8
%
K2
IOUT/ISENSE
IOUT=10A; VSENSE=4V
Tj=-40°C...150°C
Tj=25°C...150°C
4705
4865
5290
5950
5715
dK2/K2
(1)
Current sense ratio
drift
IOUT= 10 A; VSENSE= 4 V;
VCSD=0V;
TJ= -40 °C to 150 °C
-5
5
%
K3
IOUT/ISENSE
IOUT=25A; VSENSE=4V
Tj=-40°C...150°C
Tj=25°C...150°C
4935
4985
5250
5565
5515
dK3/K3
(1)
Current sense ratio
drift
IOUT= 25 A; VSENSE= 4 V;
VCSD= 0V;
TJ= -40 °C to 150 °C
-4
4
%
ISENSE0
Analog sense
leakage current
IOUT=0A; VSENSE=0V;
VCSD=5V; VIN=0V;
Tj=-40°C...150°C
VCSD=0V; VIN=5V;
Tj=-40°C...150°C
IOUT=5A; VSENSE=0V;
VCSD=VIN=5V;
0
1
2
1
A
VSENSE
Max analog sense
output voltage
IOUT=15A; VCSD=0V
5
V
VSENSEH
Analog sense output
voltage in
overtemperature
condition
VCC=13V; RSENSE=10KΩ
8V
ISENSEH
Analog sense output
current in
overtemperature
condition
VCC=13V; VSENSE=5V
9
mA
tDSENSE1H
Delay response time
from falling edge of
CS_DIS pin
VSENSE<4V, 1.5A<Iout<25A
ISENSE=90% of ISENSE max
(see fig Figure 4)
50
100
s
相關PDF資料
PDF描述
VNL5050S5-E POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8
VNL5050N3TR-E POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3
VO27.0000000M0000001 VCXO, CLOCK, 27 MHz, TTL OUTPUT
VP06DDC1R0N999 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
VP06DDC1R0N001 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
VND5E012MY-E 功能描述:功率驅動器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E012MYTR-E 功能描述:功率驅動器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E025AK-E 功能描述:功率驅動器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E025AKTR-E 功能描述:功率驅動器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E025ASTR-E 功能描述:功率驅動器IC Double CH High-Side 41V 25mOhm 60A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube