參數(shù)資料
型號： VND5E012AYTR-E
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 模擬信號調(diào)理
英文描述： SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO36
封裝： ROHS COMPLIANT, SSOP-36
文件頁數(shù)： 28/37頁
文件大?。?/td> 924K
代理商： VND5E012AYTR-E
Package information
VND5E012AY-E
Doc ID 13621 Rev 2
5.3
Packing information
Figure 40. PowerSSO-36 tube shipment (no suffix)
Figure 41. PowerSSO-36 tape and reel shipment (suffix “TR”)
A
C
B
All dimensions are in mm.
Base Q.ty
49
Bulk Q.ty
1225
Tube length (± 0.5)
532
A
3.5
B
13.8
C (± 0.1)
0.6
Base Q.ty
1000
Bulk Q.ty
1000
A (max)
330
B (min)
1.5
C (± 0.2)
13
F
20.2
G (+ 2 / -0)
24.4
N (min)
100
T (max)
30.4
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
According to Electronic Industries Association
(EIA) Standard 481 rev. A, Feb 1986
All dimensions are in mm.
Tape width
W
24
Tape Hole Spacing
P0 (± 0.1)
4
Component Spacing
P
12
Hole Diameter
D (± 0.05)
1.55
Hole Diameter
D1 (min)
1.5
Hole Position
F (± 0.1)
11.5
Compartment Depth
K (max)
2.85
Hole Spacing
P1 (± 0.1)
2
Top
cover
tape
End
Start
No components
Components
500mm min
Empty components pockets
saled with cover tape.
User direction of feed
相關PDF資料
PDF描述
VNL5050S5-E POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8
VNL5050N3TR-E POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3
VO27.0000000M0000001 VCXO, CLOCK, 27 MHz, TTL OUTPUT
VP06DDC1R0N999 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
VP06DDC1R0N001 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
VND5E012MY-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E012MYTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E025AK-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E025AKTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E025ASTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double CH High-Side 41V 25mOhm 60A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*