參數(shù)資料
型號(hào)： VN2406D
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(最小漏源擊穿電壓240V，夾斷電流1.12A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET（最小漏源擊穿電壓240伏，夾斷電流1.12A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的晶體管）
文件頁數(shù)： 5/5頁
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代理商： VN2406D
TN2410L, VN2406D/E, VN2410L/LS
Vishay Siliconix
Document Number: 70204
S-58620—Rev. E, 21-Jun-99
www.siliconix.com FaxBack 408-970-5600
5
10 K
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
1
0.01
0.1
0.01
0.1
1
100
10
1 K
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA)
N
T
t
1
– Square Wave Pulse Duration (sec)
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 156 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VN2406LZL1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 200MA I(D) | TO-92
VN2406M TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 330MA I(D) | TO-237
VN2410M TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 200MA I(D) | TO-237
VN2406 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓240V,6Ω，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管)
VN2406 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VN2406L 功能描述:MOSFET 240V 6Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VN2406L/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Small Signal MOSFET 200 mAmps， 240 Volts
VN2406L/ROTS 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MIL FLOW -55 C TO +125 COPERATING TEMPERATURE - Tape and Reel
VN2406L-G 功能描述:MOSFET 240V 6Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VN2406L-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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