參數(shù)資料
型號(hào)： VN2406D
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(最小漏源擊穿電壓240V，夾斷電流1.12A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET（最小漏源擊穿電壓240伏，夾斷電流1.12A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的晶體管）
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 101K
代理商： VN2406D
TN2410L, VN2406D/E, VN2410L/LS
Vishay Siliconix
Document Number: 70204
S-58620—Rev. E, 21-Jun-99
www.siliconix.com FaxBack 408-970-5600
1
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors
Part Number
V
(BR)DSS
Min (V)
r
DS(on)
Max ( )
V
GS(th)
(V)
I
D
(A)
TN2410L
240
10 @ V
GS
= 4.5 V
0.5 to 1.8
0.18
VN2406D
6 @ V
GS
= 10 V
0.8 to 2
1.12
VN2406L
6
@ V
GS
= 10 V
0.8 to 2
0.18
VN2410L
10 @ V
GS
= 10 V
0.8 to 2
0.18
VN2410LS
10 @ V
GS
= 10 V
0.8 to 2
0.19
Low On-Resistance: 3.5
Secondary Breakdown Free: 260 V
Low Power/Voltage Driven
Low Input and Output Leakage
Excellent Thermal Stability
Low Offset Voltage
Full-Voltage Operation
Easily Driven Without Buffer
Low Error Voltage
No High-Temperature “Run-Away”
High-Voltage Drivers: Relays, Solenoids, Lamps,
Hammers, Displays, Transistors, etc.
Telephone Mute Switches, Ringer Circuits
Power Supply, Converters
Motor Control
1
TO-220AB
(Tab Drain)
Top View
G
S
D
2
3
TO-226AA
(TO-92)
Top View
S
D
G
1
2
3
TO-92S
(Tab Drain)
Top View
S
D
G
1
2
3
TN2410L
VN2406L
VN2410L
VN2406D
VN2410LS
Parameter
Symbol
TN2410L
VN2406D
b
VN2406L
VN2410L
VN2410LS
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
V
GS
240
240
240
240
240
V
Gate-Source Voltage
20
20
20
20
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
T
A
= 25 C
T
A
= 100 C
I
D
0.18
1.12
0.18
0.18
0.19
A
0.11
0.7
0.11
0.11
0.12
Pulsed Drain Current
a
I
DM
1
3
1.7
1.7
2
Power Dissipation
T
A
= 25 C
T
A
= 100 C
P
D
0.8
20
0.8
0.8
0.9
W
0.32
8
0.32
0.32
0.4
Maximum Junction-to-Ambient
R
thJA
156
6.25
c
156
156
139
C/W
Operating Junction and
Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Notes
a.
b.
c.
Pulse width limited by maximum junction temperature.
Reference case for all temperature testing.
Maximum junction-to-case
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VN2406LZL1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 200MA I(D) | TO-92
VN2406M TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 330MA I(D) | TO-237
VN2410M TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 200MA I(D) | TO-237
VN2406 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓240V,6Ω，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
VN2406 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VN2406L 功能描述:MOSFET 240V 6Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VN2406L/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Small Signal MOSFET 200 mAmps， 240 Volts
VN2406L/ROTS 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MIL FLOW -55 C TO +125 COPERATING TEMPERATURE - Tape and Reel
VN2406L-G 功能描述:MOSFET 240V 6Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VN2406L-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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