- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359401 > VN2406D (Vishay Intertechnology,Inc.) N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(最小漏源擊穿電壓240V，夾斷電流1.12A的N溝道增強型MOSFET晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | VN2406D |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(最小漏源擊穿電壓240V，夾斷電流1.12A的N溝道增強型MOSFET晶體管) |
| 中文描述： | N溝道增強型MOSFET（最小漏源擊穿電壓240伏，夾斷電流1.12A的N溝道增強型MOSFET的晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | VN2406D |
TN2410L, VN2406D/E, VN2410L/LS
Vishay Siliconix
Document Number: 70204
S-58620—Rev. E, 21-Jun-99
www.siliconix.com FaxBack 408-970-5600
3
Ohmic Region Characteristics
Output Characteristics for Low Gate Drive
–
I
–
I
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
1.0
0
1
2
3
4
5
0.8
0.6
0.4
0.2
0
VGS= 10 V
4.0 V
3.5 V
3.0 V
2.5 V
2.0 V
200
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
160
120
80
40
0
VGS= 3 V
2.6 V
2.4 V
2.2 V
2.0 V
1.8 V
On-Resistance vs. Drain Current
Normalized On-Resistance
vs. Junction Temperature
Transfer Characteristics
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
I
–
r
I
D
– Drain Current (A)
T
J
– Junction Temperature ( C)
r
(
0.5
0.4
0.3
0
0
1
5
0.2
0.1
2
3
4
125 C
25 C
T
J
= –55 C
6
5
4
0
0
0.1
0.6
3
1
0.2
0.3
0.4
0.5
2
0
4
8
12
16
20
12
10
8
0
6
4
2
ID= 0.1 A
0.5 A
1.0 A
T
J
= –55 C
2.25
2.00
1.75
0.50
–50
–10
150
1.50
1.25
30
70
110
1.00
0.75
0.1 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.5 A
V
GS
= 10 V
V
DS
= 15 V
r
)
)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VN2406LZL1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 200MA I(D) | TO-92 |
| VN2406M | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 330MA I(D) | TO-237 |
| VN2410M | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 200MA I(D) | TO-237 |
| VN2406 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓240V,6Ω，N溝道增強型垂直DMOS結構場效應管) |
| VN2406 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VN2406L | 功能描述:MOSFET 240V 6Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VN2406L/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Small Signal MOSFET 200 mAmps， 240 Volts |
| VN2406L/ROTS | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MIL FLOW -55 C TO +125 COPERATING TEMPERATURE - Tape and Reel |
| VN2406L-G | 功能描述:MOSFET 240V 6Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VN2406L-G P002 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。