參數(shù)資料
型號： VN2001L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
中文描述： N溝道200 -五（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 77K
代理商： VN2001L
VN2001L
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72654
S-40246—Rev. A, 16-Feb-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
Temperature ( C)
Safe Operating Area
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
10
0.1
0.1
10
100
1000
0.001
1
0.01
1
I
D
T
= 25 C
Single Pulse
I
Limited
I
Limited
r
DS(on)
Limited
BV
DSS
Limited
1 ms
10 ms
100 ms
1 s
dc
100 s
10
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
1
0.01
0.1
0.01
1
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA)
N
T
t
1
Square Wave Pulse Duration (sec)
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 156 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
10
1
10
2
10
3
10
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VN2010L N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓200V，夾斷電流0.19A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
VN2010L N-Channel 200-V (D-S) MOSFETs
VN2010L N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors
VN2018BCC Voltage-Feedback Operational Amplifier
VN2018BCI Voltage-Feedback Operational Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VN2001L-TR1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 0.56A 3-Pin TO-226AA T/R
VN2010L 功能描述:MOSFET 200V 0.19A 0.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VN2018BCC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Voltage-Feedback Operational Amplifier
VN2018BCI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Voltage-Feedback Operational Amplifier
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