參數(shù)資料
型號(hào)： VN2001L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
中文描述： N溝道200 -五（副）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 77K
代理商： VN2001L
VN2001L
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72654
S-40246—Rev. A, 16-Feb-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
r
D
)
0
50
100
150
200
250
0
20
40
60
80
100
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.00
0.40
0.80
1.20
1.60
2.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 90 V
I
D
= 0.56 A
I
D
Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
(
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 0.56 A
2
1
0.1
0.001
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0.01
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VN2010L N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓200V，夾斷電流0.19A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
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VN2010L N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors
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VN2018BCI Voltage-Feedback Operational Amplifier
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參數(shù)描述
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VN2010L 功能描述:MOSFET 200V 0.19A 0.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VN2018BCC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Voltage-Feedback Operational Amplifier
VN2018BCI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Voltage-Feedback Operational Amplifier
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