參數(shù)資料
型號： VN0104
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓40V,N溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應管)
中文描述： N溝道增強型場效應管垂直的DMOS（擊穿電壓40V的，?溝道增強型垂直的DMOS結(jié)構(gòu)場效應管）
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： VN0104
7-154
VN0104/VN0106/VN0109
Typical Performance Curves
C
ISS
Gate Drive Dynamic Characteristics
Q
G
(nanocoulombs)
V
G
(
T
j
(
°
C)
V
G
D
R
(
V
(th)
and R
DS
Variation with Temperature
On-Resistance vs. Drain Current
R
D
(
Transfer Characteristics
V
GS
(volts)
I
D
(
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
100
C
V
DS
(volts)
I
D
(amperes)
0
10
20
30
40
75
50
25
0
2
4
6
8
10
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
-50
0
50
100
150
1.1
1.0
0.9
0
0
2.5
1.0
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
10
8
6
4
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-50
0
50
100
150
V
DS
= 10V
V
(th)
@ 1mA
R
DS
@ 10V, 1.0A
0.5
1.5
2.0
1.0
2.0
3.0
5.0
4.0
0
0
40 pF
40V
80 pF
0
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
f = 1MHz
R
DS
@ 5V, 0.25A
BV
DSS
Variation with Temperature
B
D
(
T
j
(
°
C)
V
DS
= 25V
T
A
= -55
°
C
25
°
C
125
°
C
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 5V
V
GS
= 10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VN0104 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
VN0104N3 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
VN0109NE N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs Quad Array
VN0116ND TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 160V V(BR)DSS | CHIP
VN0120ND TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VN0104N3 功能描述:MOSFET 40V 3Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VN0104N3-G 功能描述:MOSFET 40V 3Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VN0104N3-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
VN0104N3-G P003 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
VN0104N3-G P005 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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