參數(shù)資料
型號： VN0104
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓40V,N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管垂直的DMOS（擊穿電壓40V的，?溝道增強(qiáng)型垂直的DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 3/4頁
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代理商： VN0104
7-153
7
VN0104/VN0106/VN0109
Typical Performance Curves
Output Characteristics
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
10
20
V
DS
(volts)
30
50
40
Saturation Characteristics
0
2
4
6
10
8
Maximum Rated Safe Operating Area
0.1
100
10
1.0
0.1
1.0
10
0.01
I
D
(
Thermal Response Characteristics
T
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.001
10
0.01
0.1
1
Transconductance vs. Drain Current
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
G
F
(
Power Dissipation vs. Case Temperature
0
150
100
50
25
20
15
10
5
125
75
25
P
D
(
TO-92/TO-52
T
A
= -55
°
C
V
GS
= 10V
8V
6V
4V
0
0
0
8V
6V
4V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
TO-52/TO-92 (DC)
TC = 25
°
C
VGS =10V
I
D
(
V
DS
= 25V
25
°
C
125
°
C
I
D
(amperes)
V
DS
(volts)
t
p
(seconds)
T
C
(
°
C)
V
DS
(volts)
I
D
TO-92
P
D
= 1W
T
C
= 25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VN0104 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
VN0104N3 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
VN0109NE N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs Quad Array
VN0116ND TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 160V V(BR)DSS | CHIP
VN0120ND TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VN0104N3 功能描述:MOSFET 40V 3Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VN0104N3-G 功能描述:MOSFET 40V 3Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VN0104N3-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
VN0104N3-G P003 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
VN0104N3-G P005 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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