參數(shù)資料
型號(hào)： VMO450-02F
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 450A I(D)
中文描述： 晶體管| MOSFET功率模塊|獨(dú)立| 200伏五（巴西）直| 450A（丁）
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
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代理商： VMO450-02F
1999 IXYS All rights reserved
C3 - 17
C3
VMO 450-02F
Fig. 7 Typical turn-on gate charge characteristics
Fig. 8 Forward Bias Safe Operating Area, I
D
= f (V
DS
)
p
Fig. 11 Drain current versus pulse width and
duty cycle
Fig. 12 Transient thermal resistance Z
thJK
= f (t
p
)
Fig. 9 Typical capacitances C = f (V
DS
), f = 1 MHz
Fig. 10 Typical forward characteristics of reverse
diode, I
S
= f (V
SD
)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0
400
800
1200
0.001
0.01
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
10000
Z
thJC
D=0.01
D=0.02
D=0.05
D= 0.1
D= 0.2
D = 0.5
s
K/W
0
500
1000
1500
2000
2500
nC
3000
0
3
6
9
12
15
V
V
GS
I
D
A
Limited by R
DS(on)
t = 100 ms
t = 10 ms
V
DS
V
t
00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0
200
400
600
800
1000
1200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
A
0
5
10
15
20
25
1
10
100
1000
nF
V
SD
I
S
C
oss
V
DS
V
C
I
D
= 190 A
I
G
= 11 mA
V
DS
= 100 V
Q
g
t = 1 ms
non-repetitive
T
J
= 150°C
T
C
= 25°C
C
iss
C
rss
D= single pulse
t
p
s
I
d
D= 0.1
D= 0.2
D= 0.3
D= 0.4
D= 0.5
D= 0.7
T
C
= 80
°
C
t = 10 μs
VMO450-02F
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VMO550-01F HiPerFET MOSFET Module
VMO580-02F HipPerFETTM Module
VMOB70 MOBILE COMMUNICATIONS
VMP1 HIGHPERFORMANCE CPUs SINGLE-BOARD COMPUTERS
VMX1C1020 Versa Mix 8051 Mixed-Signal MCU
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參數(shù)描述
VMO500-02F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 500A I(D)
VMO550-01F 功能描述:MOSFET 550 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VMO580-02F 功能描述:MOSFET HiperFET 200V 580A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VMO60-05F 功能描述:MOSFET 60 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VMO650-01F 功能描述:MOSFET 650 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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