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參數(shù)資料
| 型號： | VG36641641DTL-8H |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| 中文描述： | 同步動態(tài)隨機存儲器的CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 23/69頁 |
| 文件大小： | 1364K |
| 代理商： | VG36641641DTL-8H |
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Document :1G5-0177
Rev.2
Page 23
VIS
VG36644041DT / VG36648041DT / VG36641641DT
CMOS Synchronous Dynamic RAM
9.3 Write to Read Command Interval
The write command to read command interval is also a minimum of 1 cycle. Only the write data before the read command
will be written. The data bus must be Hi-Z at least one cycle prior to the first D
OUT
.
WRITE to READ Command Interval
9.4 Read to Write Command Interval
During a read cycle, READ can be interrupted by WRITE.
DQM must be in High at least 3 clocks prior to the write command. There is a restriction to avoid a data conflict. The data
bus must be Hi-Z using DQM before Write.
Burst lengh=4
CLK
Command
CAS latency=2
DQ
Command
CAS latency=3
DQ
QB0
QB3
QB2
QB1
WRITE A
Write A
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
QB0
QB3
QB2
QB1
1 cycle
Read B
DA0
Read B
DA0
Hi-Z
Hi-Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VG36641641DT | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36641641BT | CMOS Synchronous Dynamic RAM |
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| VGFX200K-SERIES | ASIC |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VG3664321412BT | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
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| VG36643241BT-7 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG36643241BT-8 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
| VG366440(80/16)41DT(L)-6 | 制造商:VML 制造商全稱:VML 功能描述:CMOS Synchronous Dynamic RAM |
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