參數(shù)資料
型號(hào)： VG26VS17405J-5
廠商： VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
文件頁(yè)數(shù)： 25/27頁(yè)
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代理商： VG26VS17405J-5
Document:1G5-0162
Rev.1
Page 7
VIS
VG26(V)(S)17405FJ
4,194,304 x 4 - Bit
CMOS Dynamic RAM
DC Characteristics ; 5-Volt Version (Cont.)
(Ta = 0 to + 70°C, VCC = + 5V
%,VSS = 0V)
Notes:
1. ICC is specified as an average current. It depends on output loading condition and cycle rate when the
device is selected. ICC max is specified at the output open condition.
2. Address can be changed once or less while RAS = VIL.
3. For ICC4, address can be changed once or less within one EDO page mode cycle time.
Parameter
Symbol
Test Conditions
VG26(V)(S) 17405
Unit
Notes
-5
-6
Min
Max
Min
Max
Input leakage current
ILI
+ 0.5V
-5
5
-5
5
Output leakage current
ILO
+ 0.5V
Dout = Disable
-5
5
-5
5
Output high Voltage
VOH
IOH = - 5mA
2.4
-
2.4
-
V
Output low voltage
VOL
IOL = + 4.2mA
-
0.4
-
0.4
V
10
±
0V
V
I N
V
C C
≤
A
0V
V
OUT
V
CC
≤
A
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PDF描述
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