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參數(shù)資料
| 型號： | VG26VS17405J-5 |
| 廠商： | VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 |
| 文件頁數(shù)： | 24/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 244K |
| 代理商： | VG26VS17405J-5 |
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Document:1G5-0162
Rev.1
Page 6
VIS
VG26(V)(S)17405FJ
4,194,304 x 4 - Bit
CMOS Dynamic RAM
DC Characteristics; 5- Volt Verion
(Ta = 0 to + 70 °C, VCC= + 5V
,VSS = 0V)
Parameter
Symbol
Test Conditions
VG26(V)(S)17405
Unit
Notes
-5
-6
Min
Max
Min
Max
Operating current
ICC1
RAS cycling
CAS, cycling
tRC = min
-
120
-
110
mA
1, 2
Standby
Current
Low
power
S-version
ICC2
TTL interface
RAS, CAS = VIH
Dout = High-Z
-
2
-
2
mA
CMOS interface
RAS,
-0.2V
Dout = High-Z
-
0.25
-
0.25
mA
Standard
power
version
TTL interface
RAS, CAS = VIH
Dout = High-Z
2
-
2
mA
CMOS interface
RAS,
-0.2V
Dout = High-Z
1
-
1
mA
RAS-only
refresh current
ICC3
RAS cycling, CAS = VIH
tRC = min
-
120
-
110
mA
1, 2
EDO page mode
current
ICC4
tRC = min
-
90
-
80
mA
1, 3
CAS-before-RAS
refresh current
ICC5
tRC = min
RAS, CAS cycling
-
120
-
110
mA
1, 2
Self-refresh current
(S - Version)
ICC8
-
350
-
350
CAS- before- RAS long
refresh current
(S-Version)
ICC9
Standby: VCC-
CAS before RAS refresh:
2048 cycles / 128ms
RAS, CAS:
VCC-
(Max)
Dout = High-Z,
-
500
-
500
10
±
CAS
Vcc
≥
CAS
Vcc
≥
t
RAS
100
s
≥
A
0.2V
RAS
≤
0V
V
IL
0.2V
≤
0.2V
V
IH
V
IH
≤
t
RAS
300ns
≤
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VG36128161BFL-7H | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| VG36128161BT-7H | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| VG36128161BFL-7L | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| VG95234E32-5P1X | 2 CONTACT(S), ALUMINUM ALLOY, MALE, MIL SERIES CONNECTOR, CLAMP AND CRIMP, PLUG |
| VG95234E32-5P1Y | 2 CONTACT(S), ALUMINUM ALLOY, MALE, MIL SERIES CONNECTOR, CLAMP AND CRIMP, PLUG |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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