參數(shù)資料
型號(hào)： V58C2256404SAE5
廠商： PROMOS TECHNOLOGIES INC
元件分類： DRAM
英文描述： 64M X 4 DDR DRAM, 0.65 ns, PDSO66
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66
文件頁(yè)數(shù)： 31/61頁(yè)
文件大小： 920K
代理商： V58C2256404SAE5
37
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2256(804/404/164)SA
V58C2256(804/404/164)SA Rev. 1.8 March 2007
DQS falling edge from CK rising - hold
time
tDSH
0.2
tCK
Half clock period
tHP
tCH,
tCL
tCH,
tCL
tCH,
tCL
tCH,
tCL
ns
34
Data-out high-impedance window from
CK/CK
tHZ
-0.65
+0.65
-0.65
+0.65
-0.7
+0.7
-0.75
+0.75
ns
18
Data-out low-impedance window from
CK/CK
tLZ
-0.65
+0.65
-0.65
+0.65
-0.7
+0.7
-0.75
+0.75
ns
18
Address and control input hold time
(fast slew rate)
tIH
F
0.60
0.75
0.90
ns
14
Address and control input setup time
(fast slew rate)
tIS
F
0.60
0.75
0.90
ns
14
Address and control input hold time
(slow slew rate)
tIH
S
0.70
0.80
1
ns
14
Address and control input setup time
(slow slew rate)
tIS
S
0.70
0.80
1
ns
14
Control & Address input width (for each
input)
tIPW
2.2
ns
53
LOAD MODE REGISTER command cy-
cle time
tMRD
2
tCK
DQ-DQS hold, DQS to first DQ to go non-
valid,
per access
tQH
tHP
-tQHS
tHP
-tQHS
tHP
-tQHS
tHP
-tQHS
ns
25, 26
Data hold skew factor
tQHS
0.50
0.55
0.75
ns
ACTIVE to PRECHARGE command
tRAS
40
70,000
40
70,000
42
120,00
0
45
120,00
0
ns
35
ACTIVE to READ with Auto precharge
command
tRAP
1515
1815
ns
46
ACTIVE to ACTIVE/AUTO REFRESH
command period
tRC
55
60
65
ns
AUTO REFRESH command period
tRFC
7070
7275
ns
50
ACTIVE to READ or WRITE delay
tRCD
15
18
15
ns
PRECHARGE command period
tRP
15
18
15
ns
DQS read preamble
tRPRE
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
tCK
42
DQS read postamble
tRPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
ACTIVE bank a to ACTIVE bank b com-
mand
tRRD
10
12
15
ns
DQS write preamble
tWPRE
0.25
tCK
DQS write preamble setup time
tWPRES
0
ns
20, 21
DQS write postamble
tWPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
19
AC CHARACTERISTICS
-5B
-5
-6
-7
PARAMETER
SYM-
BOL
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
UNIT
SNOTES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
V58C2512804SALS5I 64M X 8 DDR DRAM, 0.65 ns, PBGA60
V58C2512404SAT5I 128M X 4 DDR DRAM, 0.65 ns, PDSO66
V59C1G01408QAJ37E 256M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA68
V59C1G01408QAJ37I 256M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA68
V5D010EB4D SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 0.5A, 125VDC, 4.4mm, PANEL MOUNT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
V58C2256804S 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 256 Mbit DDR SDRAM
V58C2256804SAT-5 制造商:Mosel Vitelic Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 8, 66 Pin, Plastic, TSSOP
V58C265164S 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:64 Mbit DDR SDRAM 2.5 VOLT 4M X 16
V58C265404S 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 16M X 4 DDR SDRAM 4 BANKS X 4Mbit X 4
V58C265804S 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 8M X 8 DDR SDRAM 4 BANKS X 2Mbit X 8
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*