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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V54C3128164VB6 |
| 廠商： | MOSEL-VITELIC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| 封裝： | WBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 28/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 871K |
| 代理商： | V54C3128164VB6 |
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16.2 Random Column Write (Page within same Bank) (2 of 2)
Burst Length = 4, CAS Latency = 3
CLK
CKE
CS
I/O
RAS
CAS
WE
BA
DQM
T2
T3
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T0
T1
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T7
T8
T9
T5
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T12
T13
T14
T10
T16
T17
T18
T19
T15
T22
T20
T21
Hi-Z
AP
Addr
CBx
Write
Command
Bank B
CBy
Write
Command
Bank B
Precharge
Command
Bank B
DBw0
DBw3
DBw2
DBw1
DBx1
DBx0
DBy0
DBy3
DBy2
DBy1
DBz0 DBz1
tCK3
Activate
Command
Bank B
CBz
Write
Command
Bank B
RBz
Activate
Command
Bank B
CBz
Write
Command
Bank B
RBz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V54C3256404VDLJ8PC | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA60 |
| V54C328404VCT8 | x4 SDRAM |
| V54C328804VCT7 | x8 SDRAM |
| V54C328804VCT8 | x8 SDRAM |
| V54C365164VEF6 | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V54C3128164VBGA | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, BGA PACKAGE |
| V54C3128164VBI7 | 制造商:PROMOS 功能描述: 制造商:ProMOS Technologies Inc 功能描述:8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| V54C3128164VS | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4 |
| V54C3128164VT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4 |
| V54C3128404VBGA | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, BGA PACKAGE |
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