參數(shù)資料
型號： V54C3128164VB6
廠商： MOSEL-VITELIC
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60
封裝： WBGA-60
文件頁數(shù)： 14/45頁
文件大?。?/td> 871K
代理商： V54C3128164VB6
21
V54C3128(16/80/40)4V(BGA) Rev. 1.2 September 2001
MOSEL VITELIC
V54C3128(16/80/40)4V(BGA)
6.2 Write Interrupted by a Read
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
7. Burst Write with Auto-Precharge
Burst Length = 2, CAS latency = 2, 3)
COMMAND
NOP
WRITE A
READ B
NOP
tCK2, I/O’s
CAS latency = 2
DIN A0
tCK3, I/O’s
CAS latency = 3
DIN A0
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT B3
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
don’t care
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
Input data must be removed from the I/O’s at least one clock
cycle before the Read dataAPpears on the outputs to avoid
data contention.
COMMAND
NOP
WRITE A
Auto-Precharge
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
BANK A
ACTIVE
NOP
DIN A0
DIN A1
I/O’s
CAS latency = 3
I/O’s
CAS latency = 2
Begin Autoprecharge
Bank can be reactivated after trp
*
tWR
tRP
DIN A0
DIN A1
tWR
tRP
NOP
*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
V54C3256404VDLJ8PC 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA60
V54C328404VCT8 x4 SDRAM
V54C328804VCT7 x8 SDRAM
V54C328804VCT8 x8 SDRAM
V54C365164VEF6 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
V54C3128164VBGA 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, BGA PACKAGE
V54C3128164VBI7 制造商:PROMOS 功能描述: 制造商:ProMOS Technologies Inc 功能描述:8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
V54C3128164VS 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4
V54C3128164VT 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4
V54C3128404VBGA 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, BGA PACKAGE
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