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參數資料
| 型號： | UPD4616112F9-BC90-BC2 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 16M-BIT CMOS MOBILE SPECIFIED RAM 1M-WORD BY 16-BIT |
| 中文描述： | 1,600位CMOS移動指明內存100萬字由16位 |
| 文件頁數： | 13/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 220K |
| 代理商： | UPD4616112F9-BC90-BC2 |
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D
1
μ
P
#
t
ACS
/CS
(Input)
Address (Input)
I/O8~15
(Output)
/OE
(Input)
t
SKEW
/LB
(Input)
t
CLZ
t
SKEW
t
SKEW
t
SKEW
t
SKEW
t
RC
t
RC
t
RC
t
RC
t
RC
I/O0~7
(Output)
/UB
(Input)
Data out
Data out
Data out
Data out
Hi-Z
High impedance
t
BLZ
t
BLZ
t
OLZ
t
OE
t
BA
t
BA
t
OH
t
BHZ
t
BHZ
t
OHZ
t
OH
t
OH
t
BHZ
t
OHZ
t
OH
t
BHZ
t
OHZ
t
AA
t
BLZ
t
OLZ
t
OE
t
BA
t
BLZ
t
OLZ
t
OE
t
BA
t
AA
Caution If the address is changed using a value that is either lower than the minimum value or higher than the maximum value for the read cycle
time (t
RC
), none of the data can be guaranteed.
Remark
In read cycle, /WE should be fixed to High.
Read Cycle Timing Chart 3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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