參數(shù)資料
型號(hào)： UPA835TF
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
中文描述： NPN硅外延雙晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： UPA835TF
Data Sheet P14555EJ1V0DS00
6
μ
PA835TC
I
S
2
2
Frequency f (GHz)
I
S
2
2
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
F
r
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
FEEDBACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
N
Collector Current I
C
(mA)
NOISE FIGURE vs. COLLECTOR CURRENT
F
r
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
FEEDBACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
N
Collector Current I
C
(mA)
NOISE FIGURE vs. COLLECTOR CURRENT
INSERTION POWER GAIN vs. FREQUENCY
Q1
Q2
0.0
0.1
5.0
10.0
15.0
20.0
25.0
30.0
1.0
10.0
V
CE
= 3 V
I
C
= 10 mA
0.0
0.1
5.0
10.0
15.0
20.0
25.0
1.0
10.0
V
CE
= 3 V
I
C
= 7 mA
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
6.00
1
10
100
V
CE
= 3 V
f = 2 GHz
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
6.00
1
10
100
V
CE
= 3 V
f = 1 GHz
0.000
0.050
0.100
0.150
0.200
0.350
0.400
1
10
100
0.250
0.300
f = 1 MHz
0.000
0.100
0.200
0.300
0.400
0.700
0.900
1
10
100
0.500
0.600
0.800
f = 1 MHz
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PDF描述
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UPA836 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE
UPA836TC NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
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