參數(shù)資料
型號(hào)： UPA835TF
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
中文描述： NPN硅外延雙晶體管
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： UPA835TF
Data Sheet P14555EJ1V0DS00
4
μ
PA835TC
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
T
T
Ambient Temperature T
A
(
°
C)
T
T
Ambient Temperature T
A
(
°
C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
0
0
50
100
150
100
180
200
230
2 Elements in total
Free Air
Free Air
Per
Element (Q1)
0
0
50
100
150
100
200
230
2 Elements in total
Per
Element (Q2)
10
20
30
40
50
0.5
1.0
V
CE
= 3 V
10
20
0.5
1.0
V
CE
= 3 V
I
B
= 160 A
I
B
= 140 A
I
B
= 120 A
I
B
= 100 A
I
B
= 80 A
I
B
= 60 A
I
B
= 40 A
I
B
= 20 A
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
2
3
4
5
6
0
0
0
0
I
B
= 160 A
I
B
= 140 A
I
B
= 120 A
I
B
= 100 A
I
B
= 80 A
I
B
= 60 A
I
B
= 40 A
I
B
= 20 A
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
1
2
3
4
5
6
Q1
Q2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA835TF-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
UPA835TC-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE
UPA835TC NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE
UPA836 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE
UPA836TC NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA835TF-T1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
UPA836 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE
UPA836TC 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
UPA836TC-T1 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA836TD 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
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