參數(shù)資料
型號(hào)： UPA835TF
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
中文描述： NPN硅外延雙晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： UPA835TF
Data Sheet P14555EJ1V0DS00
5
μ
PA835TC
D
F
Collector Current I
C
(mA)
D
F
Collector Current I
C
(mA)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
I
S
2
2
Collector Current I
C
(mA)
INSERTION POWER GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
G
T
Collector Current I
C
(mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
I
S
2
2
Collector Current I
C
(mA)
INSERTION POWER GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
G
T
Collector Current I
C
(mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
10
0.1
100
1 000
1
10
100
V
CE
= 3 V
10
0.1
100
1 000
1
10
100
V
CE
= 3 V
0.00
1
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
16.00
18.00
10
100
V
= 3 V
f = 2 GHz
0.00
1
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
16.00
18.00
10
100
V
= 3 V
f = 1 GHz
2.00
3.00
4.00
5.00
6.00
7.00
8.00
9.00
10.00
11.00
12.00
1
10
100
V
= 3 V
f = 2 GHz
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
1
10
100
V
CE
= 3 V
f = 1 GHz
Q1
Q2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA835TF-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
UPA835TC-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE
UPA835TC NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE
UPA836 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE
UPA836TC NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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UPA836TC 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
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UPA836TD 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
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