參數(shù)資料
型號： UPA835TF-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
中文描述： NPN硅外延雙晶體管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： UPA835TF-T1
Data Sheet P14555EJ1V0DS00
3
μ
PA835TC
(2) Q2
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector Cutoff Current
I
CBO
V
CB
= 10 V, I
E
= 0
1.0
μ
A
Emitter Cutoff Current
I
EBO
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
1.0
μ
A
DC Current Gain
h
FE
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA
Note 1
70
140
Gain Bandwidth Product
f
T
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA, f = 1 GHz
3.0
4.5
GHz
Feedback Capacitance
C
re
V
CB
= 3 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Note 2
0.7
1.5
pF
Insertion Power Gain
|
S
21e
|
2
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA, f = 1 GHz
7.0
9.0
dB
Noise Figure
NF
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA, f = 1 GHz
1.2
2.5
dB
Notes 1.
Pulse Measurement: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
2.
Collector to base capacitance when measured with capacitance meter (automatic balanced bridge
method), with emitter connected to guard pin of capacitance meter.
h
FE
CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
37
h
FE
Value of Q1
75 to 150
h
FE
Value of Q2
70 to 140
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA835TC-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE
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UPA836TC NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
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UPA836TD 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
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